红外光学
单晶硅片
由(CZ)法生长的硅(Si)，因为含氧，会在9微米处形成一个吸收带。为了避免这种情况，可以采用(FZ)工艺制备材料。 光学硅通常是轻掺杂的（5 到 40 ohm cm），以实现 10 微米以上的最佳传输，掺杂通常是硼（P 型）和磷..
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由(CZ)法生长的硅(Si)，因为含氧，会在9微米处形成一个吸收带。为了避免这种情况，可以采用(FZ)工艺制备材料。 光学硅通常是轻掺杂的（5 到 40 ohm cm），以实现 10 微米以上的最佳传输，掺杂通常是硼（P 型）和磷..
由(CZ)法生长的硅(Si)，因为含氧，会在9微米处形成一个吸收带。为了避免这种情况，可以采用(FZ)工艺制备材料。
光学硅通常是轻掺杂的（5 到 40 ohm cm），以实现 10 微米以上的最佳传输，掺杂通常是硼（P 型）和磷（N 型）。 掺杂后的硅有一个进一步的通带：30 到 100 微米，这仅在非常高电阻率的未补偿材料中有效。 CZ 硅通常用作 1.5-8 微米区域的红外反射器和窗口的基板材料。 9 微米的强吸收带使其不适用于 CO2 激光传输应用，但由于其高导热性和低密度，它经常用于激光镜。 在 1.5 - 8 μm 区域用作窗口、透镜； 用于 CO2 激光和光谱仪应用的镜子。
| Crystal Class | Cubic |
| Lattice Parameter | a=5.43Å |
| Melting Point | 1417℃ |
| Mohs Hardness | 7 |
| Transmission Band | 1.5-8μm |
| Density | 2.329g/cm3 |
| Young's Modulus | 130.91 GPa @40℃ |
| Thermal Conductivity | 1.63W/cm/K |
| Specific Heat | 0.18cal/g/K @25℃ |
| Thermal Expansion | 2.6x10-6/℃ @20℃ |
| Material: | Si |
| Dimension Tolerance: | +0.0/ -0.1mm |
| Thickness Tolerance: | ±0.1mm |
| Surface Quality: | 60/40 |
| Clear Aperture: | >85% |
| Flatness: | λ/2@633nm |
| Parallelism (Centration): | 3' |
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